芯片結(jié)構(gòu)有平面和臺(tái)面之分，平面芯片工藝一般為淺結(jié)結(jié)構(gòu)，臺(tái)面芯片工藝包含淺結(jié)和深結(jié)結(jié)構(gòu)，二者芯片工藝對(duì)應(yīng)產(chǎn)品及功能用途有所不同，兩者技術(shù)各有特點(diǎn)。平面工藝多適用于 MOS管、IGBT等晶體管芯片、肖特基二極管芯片以及部分功率二極管芯片制造；臺(tái)面工藝適用于FRD/FRED、TVS二極管、STD、穩(wěn)壓二極管等大部分二極管GPP芯片制造。

鑒于功率半導(dǎo)體，尤其是功率二極管器件應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，細(xì)分產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)數(shù)量繁多，在行業(yè)內(nèi)各家芯片制造公司均是結(jié)合自身優(yōu)勢(shì)，采用具有自身特色的具體工藝技術(shù)路徑。不同產(chǎn)品適用不同的最佳工藝路線，兩種工藝技術(shù)合理共存。自 20 世紀(jì)60年代平面工藝技術(shù)出現(xiàn)以來(lái)，平面工藝從未對(duì)功率二極管臺(tái)面工藝進(jìn)行替代，平面工藝和臺(tái)面工藝不存在更新迭代關(guān)系。 

在中低壓功率二極管制造方面，平面工藝僅應(yīng)用于部分中低壓產(chǎn)品生產(chǎn)，應(yīng)用范圍較窄；多數(shù)中低壓產(chǎn)品采用GPP工藝，光阻法GPP工藝產(chǎn)品可與平面工藝產(chǎn)品具有同等性能，制作過(guò)程較為簡(jiǎn)單，更加具有成本優(yōu)勢(shì)和競(jìng)爭(zhēng)力。在高壓功率二極管制造方面，平面工藝生產(chǎn)高耐壓產(chǎn)品不可避免需要采用分壓環(huán)，甚至要采用多道分壓環(huán)設(shè)計(jì)，如果要獲得同等有效通流面積，平面工藝芯片尺寸要比光阻法GPP工藝芯片尺寸更大，且平面工藝制作過(guò)程復(fù)雜，成本較高，不具有競(jìng)爭(zhēng)力，高壓產(chǎn)品行業(yè)很少采用平面工藝。

在 FRD/FRED 芯片制造方面，平面工藝多適用于反向耐壓1200V 以下的續(xù)流管產(chǎn)品生產(chǎn)，用作整流二極管、高頻二極管、阻尼二極管、 1200V 以上高壓續(xù)流管等領(lǐng)域時(shí)，多采用臺(tái)面工藝。在TVS二極管芯片制造方面，平面工藝多適用于低壓小功率產(chǎn)品生產(chǎn)，主要在耳機(jī)、智能手環(huán)手表、手機(jī)等可穿戴類(lèi)或便攜類(lèi)消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中抗靜電保護(hù)作用；其他細(xì)分領(lǐng)域，TVS二極管多采用臺(tái)面GPP工藝。在STD芯片制造方面，業(yè)內(nèi)基本采用臺(tái)面GPP工藝。

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